测量穿透电流I_CEO 判别晶体管性能的好坏

1)中、小功率晶体管的检测方法。通过用万用表测量晶体管发射极(E)-集电极(C)之间的电阻,可间接估算出穿透电流I_CEO的大小,具体检测方法如图5-50所示。将万用表置于“R×100”或“R×1 k”挡,以测量PNP型中、小功率晶体管为例,红表笔接集电极(C),黑表笔接发射极(E),所测阻值一般在100kΩ以上(此值越大越好)。如果指示的阻值很小或测试时万用表指针来回晃动,则说明被测晶体管的I_CEO太大,性能不稳定。NPN型中、小功率晶体管的测试方法与上述方法相同,只是表笔应反接。

在测量晶体管的I_CEO时,用手捏住管壳1 min左右,同时观察万用表指针向右摆动的情况。指针向右摆动速度越快,则说明晶体管的稳定性越差。

2)大功率晶体管的检侧方法。将万用表置于直流电流500mA挡,再按图5-51所示连接电路(其中E为直流稳压电源、R为510Ω电阻)。电路接通后,万用表指示的电流值就是被测大功率晶体管的I_CEO值。

电子街推荐您阅读:

如何用万用表检测普通晶体管的极性与管型?

判别硅晶体管与锗晶体管的方法

判别高频晶体管与低频晶体管的方法

测量极间电阻来判别晶体管性能的好坏