12月29日，扬杰科技公开一项“隔离栅碳化硅晶体管及其制备方法”专利，申请公布号为CN117316982A。

本专利概要描述了一种用于绝缘栅极的碳化硅场效应管和它的制造方法。所述碳化硅基板由下至上顺序连接，碳化硅漂移层及前金属层；在该碳化硅漂移层的顶部表面上设置有一个向下延伸的 PW区域；PW区域的顶部表面设置有向下伸展的 NP区域；在 NP区域中设置一向下延伸的 PP区域；该碳化硅漂移层的顶表面顺序设置有一栅极及一多晶硅层，该栅极及多晶硅层向上延伸至该前金属层；该碳化硅漂移层的上表面设置有一氧化物绝缘层，该氧化物绝缘层覆盖该栅极及该多晶硅层，该氧化物绝缘层的底端分别与该碳化硅漂移层及该 NP区域相连接；在该氧化物间隔层的侧面，设置有一欧姆接触金属层，该金属层与 PP区域相连。该方法可以在某种程度上改善器件的开关特性，减小开关损失。