旺宏电子股份有限公司的发展历程可以追溯到1989年，自那时起，公司便在新竹科学园区开始了它的创新之旅。以下是其发展历程中的一些重要里程碑：

1989年12月，旺宏电子股份有限公司正式成立，为公司后续的发展奠定了坚实的基础。

1991年1月，公司成功开发出256Kb与512Kb EPROM，这一技术突破为公司打开了新的市场领域。

1992年10月，旺宏电子再次取得技术突破，成功开发完成世界第一颗四兆位（4Mb）Flash Memory，进一步确立了公司在非挥发性内存领域的领先地位。

1995年3月，公司以第三类科技股挂牌上市，标志着公司开始进入资本市场，为后续的快速发展提供了资金保障。

1996年3月，公司再次实现技术突破，开发出世界第一颗双埠10/100M bps以太网络及高速以太网网桥控制IC（BRIDGE CONTROLLER）。同年5月，公司美国存托凭证（ADR）挂牌上市，成为台湾第一家在美Nasdaq上市的公司，进一步提升了公司的国际影响力。

此后，旺宏电子持续加强与国际大厂的合作，如1997年10月与日本松下电子协议合作，1998年8月与飞利浦半导体公司签署共同开发协议等，这些合作不仅推动了公司的技术创新，也扩大了公司的市场影响力。

2000年以后，旺宏电子继续加大研发力度，并与德国西门子Infineon、美国国际商业机器公司（IBM）等国际大厂进行深度合作，共同研发新技术和产品。

2004年，公司发行海外存托凭证（GDR）于卢森堡挂牌上市，进一步拓宽了融资渠道。

2007年，公司独立逻辑产品等部门成立四家子公司，进一步拓展业务领域。

2011年，旺宏电子的专利实力获得权威认可，被评为台湾半导体业第一，全球排名十八。

至今，旺宏电子仍然持续投入研发，致力于为客户提供高质量、高性能的非挥发性内存解决方案，并在全球范围内不断拓展业务。

总的来说，旺宏电子的发展历程充满了技术创新和国际合作的元素，这使得公司能够在全球非挥发性内存领域保持领先地位。未来，旺宏电子将继续秉持创新精神，不断提升产品竞争力，为客户提供更优质的服务。