Nexperia发布80 V与100 V ASFET，优化SOA性能以满足高功率应用需求

在电子元件技术不断进步的当下，Nexperia公司宣布推出两款新型ASFET（先进硅场效应晶体管）——80 V和100 V规格。这两款新器件不仅增强了安全工作区（SOA）的性能，更是针对5G电信系统、48 V服务器环境中的热插拔与软启动应用以及工业设备中的e-fuse和电池保护需求进行了专门优化。

ASFET是一种经特殊优化后，可针对特定应用场景展现卓越性能的MOSFET。其设计理念在于通过专注提升某一应用场景中的关键参数，即使在其他方面的性能上做出一些妥协，也能达到前所未有的性能水平。此次推出的热插拔ASFET，便是Nexperia最新硅技术与铜夹片封装结构的完美结合，不仅显著提升了SOA性能，还大幅减小了PCB面积。

过去，MOSFET常常受到Spirito效应的影响，导致在高电压下的热稳定性下降，SOA性能迅速衰退。然而，Nexperia的新型增强型SOA技术彻底消除了这一瓶颈。与先前的D2PAK相比，新器件在50 V时的SOA性能提升了高达166%。

除了性能提升外，新款热插拔ASFET还在数据手册中新增了125 °C SOA特性。此前，SOA仅在25 °C时指定，导致在高温环境下操作的设备设计师必须进行额外的性能降额计算。如今，Nexperia的这一改进彻底解决了这一问题，让设计师能够在更高温度下也能充分利用器件的性能。

全新的PSMN4R2-80YSE（80 V，4.2 m）和PSMN4R8-100YSE（100 V，4.8 m）热插拔ASFET采用了与Power-SO8兼容的LFPAK56E封装。这种封装不仅提高了热性能和电气性能，还显著减小了管脚尺寸。与上一代D2PAK相比，新封装的PCB管脚尺寸和器件高度分别减少了80%和75%，大大节省了空间。

此外，这些新器件的最大结温高达175 °C，完全符合IPC9592对电信和工业应用的规定。在高功率应用中，当需要多个热插拔MOSFET并联使用时，新器件的均流能力得到了显著改善，这不仅提高了系统的可靠性，还降低了成本。

Nexperia一直被视为热插拔MOSFET市场的领导者，此次推出的新款ASFET无疑再次提升了行业标准。这些新器件将在公司位于英国曼彻斯特的新8英寸晶圆生产厂制造，并已准备好投入批量生产，以满足市场对高性能、高可靠性电子元件的迫切需求。