Nexperia（安世半导体）近日宣布推出 PMCB60XN 和 PMCB60XNE 30V N 沟道小信号 Trench MOSFET

基础半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia（安世半导体）近日宣布推出 PMCB60XN 和 PMCB60XNE 30V N 沟道小信号 Trench MOSFET，该产品采用超紧凑晶圆级 DSN1006 封装，具有市场领先的 RDS(on) 特性，在空间受限和电池续航运行至关重要的情况下，可使电力更为持久。

新型 MOSFET 非常适合智能手机、智能手表、助听器和耳机等高度小型化电子产品，迎合了更智能、功能更丰富的趋势，满足了增加系统功耗的需求。

RDS(on) 与竞争器件相比性能提升了 25%，可最大限度降低能耗，提高负载开关和电池管理效率。其卓越的性能还表现在自发热降低，从而增强可穿戴设备的用户舒适度。

在 VGS = 4.5V 时，PMCB60XN 和 PMCB60XNE的最大 RDS(on) 分别为 50mΩ 和 55mΩ。因此，在市场上类似的 30V MOSFET 中， PMCB60XN 和 PMCB60XNE 单个芯片面积导通电阻最低。此外，PMCB60XNE 在集成于 1.0mm ×0.6mm×0.2mm 的 DSN1006 小型外形中，还可提供额定 2kV ESD 保护（人体模型 – HBM）。这两款 MOSFET 的额定漏极电流最高均可达 4A。

采用 DSN1006 封装的这两款 MOSFET 外，Nexperia（安世半导体）还推出了一款采用 DSN1010 封装的 12V N 沟道 Trench MOSFET PMCA14UN。PMCA14UN 在 VGS = 4.5 V 时的最大 RDS(on)为16mΩ，在 0.96mm ×0.96mm ×0.24mm（SOT8007） 尺寸下可具备市场领先的效率。