江苏长晶芯片在技术创新方面有以下突破：

掌握多种产品关键技术：已开发出二极管、三极管、MOSFET、电源管理 IC 等多种产品系列，并掌握了 SGT MOSFET、CSP MOSFET、超结 MOSFET、IGBT 单管、SiC 肖特基二极管等产品的关键技术。部分新产品技术水平处于国内前列，如自主研发的 CSP MOSFET 产品总体处于国内领先、国际先进水平，并与 SGT MOSFET 产品共同被南京市工信局认定为“南京市创新产品”。

入选重点研发计划：由长晶科技主导的“低功耗高可靠超结 MOS 器件关键技术研究”入选江苏省重点研发计划，并已顺利通过验收；“超低内阻晶圆级封装功率 MOS 器件”项目入选南京市江北新区重点研发计划。

拥有多项知识产权：截至2023年8月底，拥有已授权的专利62项（其中发明专利35项），集成电路布图设计专有权86项，合计知识产权数量约168项。

具备先进封装测试能力：通过组建高素质、专业化的人才梯队和持续的研发投入，不断完善和打磨先进技术，在划片、贴片、焊线、包封、电镀、切割成型等各个流程的设计和生产能力都已相当成熟，封装测试的良率达到99.8%以上。

积极布局新兴领域：积极布局 IGBT、第三代半导体产品领域，现已具备650V、1200V 等 IGBT 产品，以及部分第三代半导体（SiC 肖特基二极管）的供应能力；在电源管理 IC 领域，通过架构创新和电路优化实现了高耐压、低静态功耗、高 PSRR、低噪声、快速瞬态响应等核心指标的提升，并取得了多项发明专利，综合产品性能已达到国内主流水平。