长江存储在技术研发方面成果丰硕，以下是一些主要成果：

成功研发128层 QLC 3D NAND 闪存芯片：2020年4月13日，长江存储宣布其128层QLC 3D NAND闪存（型号：X2-6070）研发成功，并已在多家控制器厂商SSD等终端存储产品上通过验证。这是全球首款128层QLC规格的3D NAND闪存芯片，拥有业内已知型号产品中最高单位面积存储密度、最高I/O传输速度和最高单颗NAND闪存芯片容量。同时发布的还有128层512Gb TLC（3bit/cell）规格闪存芯片（型号：X2-9060），以满足不同应用场景的需求。长江存储用短短3年时间实现了从32层到64层再到128层的跨越。

推出 Xtacking 技术：2018年7月发布的 Xtacking 技术，将外围电路置于存储单元之上，让芯片加工从平面走向立体。即在一片晶圆上加工外围电路，在另一片晶圆上加工存储单元，两片晶圆各自完工后再进行接合。该技术可提高闪存的读写性能和存储密度，目前世界上最快的三维闪存读写速度是1.4Gbps，采用 Xtacking 技术后这一数值有望提升到3.0Gbps。同时，它还能缩短产品研发周期，充分利用存储单元和外围电路的独立加工优势，实现了并行的、模块化的产品设计及制造，产品开发时间可缩短3个月，生产周期可缩短20%。长江存储已成功将 Xtacking 技术应用于第二代三维闪存产品的研发中，并预计实现量产。

全球首创三维闪存研发技术：Xtacking 技术在全球范围内是首创的，对“中国芯”加速自主创新发展意义重大。

完成192层3D NAND闪存样品生产：长江存储在2022年已经完成192层3D NAND闪存样品生产，预计年底实现大规模量产交付。这一突破正式打破了韩国三星的垄断，使国产存储芯片在追赶美国、韩国顶尖企业的道路上又迈进了一大步。

这些成果展示了长江存储在存储芯片领域强大的技术实力和创新能力，有助于提升中国在半导体存储领域的竞争力，推动国产存储芯片的发展。