长江存储闪存芯片的生产采用了独特的Xtacking技术，其具体生产工艺如下（以生产3D NAND闪存芯片为例）：

ONON层的薄膜沉积堆叠：依次在硅片上进行ONON层的薄膜沉积。

极高深宽比刻蚀：使用极高深宽比刻蚀设备对所有层进行蚀刻，形成无数均匀的沟槽孔列。随着存储堆叠层数的上升，沟槽孔的深宽比也会随之攀升，这使得蚀刻工艺的难度越来越大。例如，32/48层的沟槽孔深宽比为40：1，64层的为60：1，96层的为70：1。目前，国内的中微公司主导着极高深宽比蚀刻设备的研发。该公司于2021年自主开发了60：1极高深比刻蚀机，正进行产线导入，以用于长存64层和128层产线。另外，通过采用串堆叠（string stacking）技术，即在某个位置将两个叠堆串联起来，可以使通道孔的形成更快更容易。长江存储的128层闪存就是将两个64层串堆叠实现的。

阶梯刻蚀：对各层通过阶梯刻蚀形成阶梯状结构，这一步骤相对简单，不存在卡脖子问题。

再次蚀刻：再次使用极高深宽比刻蚀设备进行蚀刻，将所有通道空列彼此分开。

氮化物清洗和字线沉积：使用氮化物清洗液去除氮化物层，最后进行字线沉积和接触孔沉积填充钨，将存储单元进行联通。此步骤中的“极高深宽比字线和接触孔钨填充”存在被日美卡脖子的问题。随着3D NAND堆叠层数增加，阶梯接触孔的深宽比会达到40：1到60：1以上，这对氮化钛阻挡层的生长和极高深宽比的钨填充都提出了更高要求。堆叠层数的提高还需要更具挑战性的WL线路填充，包括更高的深宽比和更长的横向填充，这些新工艺都要通过先进的金属CVD或ALD来实现。目前国内在“极高深宽比字线和接触孔钨填充”设备方面由中微公司主导研发。

Xtacking技术将外围电路置于存储单元之上，不占用实际芯片面积，提高了存储密度；存储单元、外围电路分别在两片晶圆上并行加工，缩短了生产周期；外围电路可以单独加工，与存储单元可以互相独立设计、生产，消除了二者之间的设计、工艺牵制，有利于实现更高性能。外围电路面积与存储单元面积几乎相等，相对来说外围电路晶体管密度可以比较低，一般使用50nm工艺节点即可满足需求，最高也无需超过28nm工艺，无需先进制程的光刻机。

通过不断的技术研发和创新，长江存储在闪存芯片生产工艺上取得了显著进展，为国产闪存芯片的发展做出了重要贡献。但需要注意的是，闪存芯片生产工艺非常复杂，涉及众多技术细节和高端设备，且技术在不断发展和进步，实际的生产工艺可能会随着技术的更新而有所变化。