以下是一些关于长江存储技术研发团队的最新消息：

工艺改进：长江存储工艺研发团队在第五届 IEEE EDTM 上发表了存储芯片制造工艺改进方面的最新成果。该团队通过探明磷掺杂工艺缺陷的形成机理，提出并验证了两种表面处理解决方案，解决了工艺制造中存在的问题，提高了器件制造的可靠性。

人才培养：武汉市经济和信息化局相关负责人介绍，芯片龙头企业长江存储科技有限公司拥有近3000人的硕博研发团队。同时，湖北工业大学成立芯片产业学院，建设芯片设计与工艺实验中心，并聘请国内外芯片领域知名学者、企业专家担任专兼职教授。

技术突破：长江存储投入3D NAND技术研发，从32层技术切入，一直到64层芯片成功研发、量产，更提出独步全球的Xtacking技术。该技术将为3D NAND闪存带来前所未有的I/O高性能、更高的存储密度，以及更短的产品上市周期。

专利成果：长江存储在过去几年申请了500多项专利，其在美国发布的Xtacking技术，代表了其最重要的自主知识产权。

产品发布：长江存储发布了两款128层3D NAND芯片产品，分别为容量1.33Tb的128层QLC 3D NAND闪存和512Gb的128层TLC 3D NAND闪存（型号：X2-9060）。作为业内首款128层QLC规格的3D NAND闪存，长江存储X2-6070拥有业内已知型号产品中最高单位面积存储密度，最高I/O传输速度和最高单颗NAND闪存芯片容量。

总的来说，长江存储技术研发团队在工艺改进、人才培养、技术突破、专利成果和产品发布等方面都取得了显著的进展。这些成果不仅提高了长江存储的市场竞争力，也为中国存储芯片产业的发展做出了重要贡献。