华邦 W25QXX 系列 FLASH 芯片不同型号的相同点和区别如下：

• 相同点：
• 1块=16扇区；1扇区=16页；1页=256字节；FLASH 芯片只能按扇区、块为单位擦除，或者是全片擦除。写可以1-256字节写，一次最多写256字节。
• 支持标准串行外设接口（SPI）、双/四通道 I/O SPI：串行时钟、芯片选择、串行数据 I/O0（DI）、I/O1（DO）、I/O2（/WP）和 I/O3（/HOLD）。
• 具有4KB 扇区的灵活架构，均匀扇区/块擦除（4K/32K/64K 字节）。
• 最高性能串行闪存，支持133MHz 标准/双/四 SPI 时钟，等效双/四 SPI 时钟频率为266/532MHz。
• 高效的“连续读取”，只需8个时钟即可寻址内存，允许真正的 XIP（就地执行）操作，性能优于 X16并行闪存。
• 低功耗、宽温度范围，工作温度范围在-40°C 至+85°C 之间。
• 高级安全功能，包括软件和硬件写入保护、电源锁定、特殊 OTP 保护、顶部/底部/补码阵列保护、单个块/扇区阵列保护、每个设备的64位唯一 ID、可发现参数（SFDP）寄存器、3X256字节带 OTP 锁的安全寄存器、易失性和非易失性状态寄存器位。
• 提供节省空间的封装，如8引脚 SOIC 208-mil、8引脚 WSON 6x5-mm、16引脚 SOIC 300-mil 等。

• 不同点：
• 内存容量：W25Q16为16M-bit（2M-byte）、W25Q32为32M-bit（4M-byte）、W25Q64为64M-bit（8M-byte）、W25Q128为128M-bit（16M-byte）、W25Q256为256M-bit（32M-byte）、W25Q512为512M-bit（64M-byte）。
• 扇区和块数量：W25Q16有512个可擦除扇区和32个可擦除块、W25Q32有1,024个可擦除扇区和64个可擦除块、W25Q64有2,048个可擦除扇区和128个可擦除块、W25Q128有4,096个可擦除扇区和256个可擦除块、W25Q256有8,192个可擦除扇区和512个可擦除块、W25Q512有16,384个可擦除扇区和1,028个可擦除块。
• 工作电流：W25Q16工作电流4mA，W25Q32、W25Q64、W25Q128、W25Q256工作电流为5mA。
• 封装类型：W25Q16、W25Q32、W25Q64、W25Q128、W25Q256的封装类型有8引脚 SOIC 208-mil、8引脚 WSON 6x5-mm、16引脚 SOIC 300-mil，W25Q512的封装类型有8引脚 WSON 8x6mm、16引脚 SOIC 300-mil（附加/重置引脚）、24球 TFBGA 8x6mm（5x5球阵列）。