富满微小功率 MOS 系列芯片的工作原理基于 MOS 晶体管的特性。MOS 晶体管全称金属-氧化物半导体场效应晶体管，其工作原理如下（以常见的 N 沟道增强型 MOS 管为例）：

在一块浓度较低的 P 型硅上扩散两个浓度较高的 N 型区，分别作为漏极和源极，半导体表面覆盖二氧化硅绝缘层并引出一个电极作为栅极。

当栅极-源极电压（Vgs）为 0 时，不管漏极-源极电压（Vds）极性如何，其中总有一个 PN 结反偏，所以不存在导电沟道，漏极电流（Id）为 0。

当 Vgs 大于 0 时，在 SiO2介质中会产生一个垂直于半导体表面的电场，它排斥 P 区的多子（空穴）而吸引少子（电子）。当 Vgs 达到一定值时，P 区表面将形成反型层，把两侧的 N 区沟通，从而形成导电沟道。随着 Vgs 的上升，反型层会变厚，若此时 Vds 较小，Vds 的上升会导致 Id 上升。

当 Vgs 大于开启电压（Vt）且 Vds 增大到一定值后，靠近漏极的沟道会被夹断，形成夹断区，此时 Vds 上升但 Id 基本保持不变。

在实际应用中，微小功率 MOS 系列芯片利用上述原理实现对电流的控制和开关操作。例如在电源管理电路中，通过控制栅极电压来调节 MOS 管的导通和截止，从而实现稳定的电压输出或电源切换等功能。

需要注意的是，不同型号和规格的富满微小功率 MOS 芯片可能会在具体参数和特性上有所差异，但总体工作原理是相似的。在使用这些芯片时，需要参考其数据手册以了解详细的电气特性和应用要求。

另外，MOS 管具有输入阻抗高、噪声低、热稳定性好等优点，被广泛应用于电子电路中的开关电源、电机驱动、放大器等领域。同时，由于栅极输入阻抗很大，MOS 管容易被静电击穿，在使用和操作时需要注意采取防静电措施。