富满微在第三代半导体氮化镓（GaN）领域有一定的布局。

据2021年12月7日富满微在投资者互动平台发布的信息，公司在第三代半导体主要从GaN驱动切入，当时已有直接驱动GaN功率管的电源主控芯片产品验证成功并推向市场。此外，可以驱动GaN功率管应用到大功率高效率的电源变换器上的LLC变换器主控芯片正在研发中。

在氮化镓快充领域，公司此前有可搭配GaN的中高功率（≥65W）主控芯片、PD协议芯片等产品。例如其NF7307芯片，具备更高集成度（集成启动电阻&X电容放电），更出色的性能（优良的QR特性，更低待机功耗）及更高可靠性（全面的保护机制），产品规格可对标安森美等海外厂商产品，具备较高的性价比优势。该公司相关产品已导入部分知名厂商的供应链，市场拓展稳步推进。

富满微 GaN 芯片的一些优势可能体现在以下方面（具体产品的优势可能因型号和应用场景而有所不同）：

• 集成度高：例如相关芯片具备更高集成度，可能集成了启动电阻和 X 电容放电等功能，从而简化外围电路设计。
• 性能出色：具有优良的 QR（准谐振）特性，更低待机功耗等，能满足中高功率快充等需求。
• 可靠性高：拥有全面的保护机制，可提高系统的稳定性和安全性。
• 优化电源性能：如特有的谷底开关、软启动等功能，以及抖频功能有效减少电磁干扰等，可进一步优化电源性能。
• 低功耗：部分产品的空载功耗低于 30mW，有助于降低整体能耗。
• 适用范围广：能够适用于广泛的工作电压范围，且最小频率钳位模式可提高轻载效率，适用于多种电源变换场景。
• 性价比高：产品规格可对标海外厂商产品，在性能相当的情况下，可能具有一定的成本优势。

例如富满微的 FM2842 芯片，是一款高度集成的准谐振反激控制器芯片，内部集成高压启动电路且空载功耗低于 30mW；具备过功率、过电压、短路等多重保护机制，提高系统安全性；抖频功能有效减少电磁干扰，其特有的谷底开关、软启动等功能进一步优化了电源性能；适用于广泛的工作电压范围，最小频率钳位模式提高轻载效率，采用 SOP-9 封装节省 PCB 空间，适用于 AC-DC 适配器与反激开关电源等领域。