华邦电子的半导体存储专利还有以下优化方案：

存储器结构优化

• 新型存储架构设计：如在存储单元中嵌入智能算法，自动优化数据读写流程，使设备在处理高并发数据时表现出更高的效率与稳定性。
• 纳米线与存储膜结构：采用垂直堆叠在衬底之上的多个纳米线、以及分别包绕这些纳米线的多个存储膜，每个存储膜包含形成在相应纳米线上的至少两个介电层，提升存储性能。
• 刻蚀工艺创新：在主动区的制造中，通过增加顺应层的刻蚀工艺来维持线宽的精确控制，确保第二沟槽的顶部宽度大于第一沟槽的底部宽度，进而提升存储器的整体性能和良率。

存储性能与功耗平衡

• 智能功耗管理：引入全新的能效管理技术，根据操作的实际需求动态调整功耗，在高温环境下也能稳定运行，相比传统存储设备，具备显著的竞争优势。
• 低电流工作模式：通过控制易失存储器的断电机制，使得设备在即将断电时能智能判断是否启动低电流工作模式，延长存储设备的数据保持时间，降低能耗。

数据传输与读写优化

• 连续读写方法：通过优化存储介质的组织结构和读写流程，显著减少读取和写入过程中的延迟时间，结合人工智能算法对数据进行智能预测与调优，提升数据传输效率。
• 提升存储密度：改进存储单元的结构和制造工艺，实现单位面积内增加存储单元数量，在相同的物理空间内存储更多的数据，提高存储器件的存储密度。