华邦电子半导体存储专利在存储容量上的优化措施主要有以下方面：

创新结构设计

• 垂直纳米线与存储膜堆叠：“半导体存储器装置及其形成方法” 专利通过垂直堆叠多个纳米线和包绕这些纳米线的多个存储膜，每个存储膜包含形成在相应纳米线上的至少两个介电层，在不增加芯片面积的情况下，增加了存储单元的数量，从而有效提高存储密度，扩大存储容量。
• 多层存储架构：“半导体存储装置以及编程方法” 专利采用多层存储架构，使得同一芯片上能够集成更多的存储单元，提升了存储装置的整体容量，为实现大容量存储提供了架构基础。
• 有源区与字线结构优化：“内存组件及其制造方法” 专利通过定义在半导体衬底中的多个有源区以及交错的字线结构，特别是每个字线结构中浮置栅极和控制栅极的设计，优化了内存组件结构，可显著提升数据存储能力，有助于增加存储容量。

不良位线处理技术：“半导体存储器及其控制方法” 专利涉及一种串联的存储单元阵列，当某一子阵列内的不良位线数量超过预设的备用位线数量时，控制电路可激活隔壁子阵列内的对应字线，利用后者的良好单元进行数据存取，相当于增加了可用于有效存储的空间，提高了存储器在不良状况下的实际可用存储容量，减少因单个阵列中不良位线导致的存储失效，提升了整体存储可靠性和容量利用率。

制造工艺改进：“半导体结构及其制造方法” 专利通过在主动区制造中增加顺应层，进行两次刻蚀形成沟槽，确保第二沟槽的顶部宽度大于第一沟槽的底部宽度，从而能够更精确地控制制造过程中的线宽，有助于提高制造精度和良率，使更多的存储单元能够在有限的芯片面积上得以实现，间接增加了存储容量。