华邦电子有多项半导体结构专利，以下是一些详细信息：

半导体结构及其制造方法（公开号 CN118843308A）

• 申请时间：2023 年 5 月。
• 技术内容：对基板执行第一刻蚀制造工艺以形成第一沟槽，顺应性地形成顺应层于第一沟槽的表面，沿着第一沟槽对基板执行第二刻蚀制造工艺，以形成第二沟槽于第一沟槽下方，在第二刻蚀制造工艺中，顺应层比基板具有更高的刻蚀抗性，使得第二沟槽的顶部宽度大于第一沟槽的底部宽度。
• 作用效果：通过将形成主动区的刻蚀制造工艺分为两次的刻蚀制造工艺，并搭配顺应层的形成，能够维持主动区所需的线宽大小，改善存储器装置的良率以及性能。

半导体结构及其形成方法（授权公告号 CN114068567B）

• 申请时间：2020 年 8 月。
• 技术内容：可能涉及先进的半导体制造技术，包括但不限于晶体管结构的设计、制造流程优化以及材料选取等。
• 作用效果：能够有效提高半导体材料的电性能和稳定性，提升芯片的散热效率、增强耐用性，还可简化生产流程，降低生产成本。

半导体存储器装置及其形成方法（公开号 CN119183294A）

• 申请时间：2024 年 6 月。
• 技术内容：通过垂直堆叠多个纳米线和包绕纳米线的多个存储膜，每个存储膜包含形成在相应纳米线上的至少两个介电层，还包含围绕存储膜的栅极电极层，以及能够密封该栅极电极层的隔离结构，隔离结构直接与栅极电极层和存储膜的至少两个介电层接触。
• 作用效果：可以有效提高存储密度和读取速度，有助于降低能耗，实现更好的电气性能和抗干扰能力。