华邦电子有多项半导体结构专利,以下是一些详细信息:
半导体结构及其制造方法(公开号 CN118843308A)
- 申请时间:2023 年 5 月。
- 技术内容:对基板执行第一刻蚀制造工艺以形成第一沟槽,顺应性地形成顺应层于第一沟槽的表面,沿着第一沟槽对基板执行第二刻蚀制造工艺,以形成第二沟槽于第一沟槽下方,在第二刻蚀制造工艺中,顺应层比基板具有更高的刻蚀抗性,使得第二沟槽的顶部宽度大于第一沟槽的底部宽度。
- 作用效果:通过将形成主动区的刻蚀制造工艺分为两次的刻蚀制造工艺,并搭配顺应层的形成,能够维持主动区所需的线宽大小,改善存储器装置的良率以及性能。
半导体结构及其形成方法(授权公告号 CN114068567B)
- 申请时间:2020 年 8 月。
- 技术内容:可能涉及先进的半导体制造技术,包括但不限于晶体管结构的设计、制造流程优化以及材料选取等。
- 作用效果:能够有效提高半导体材料的电性能和稳定性,提升芯片的散热效率、增强耐用性,还可简化生产流程,降低生产成本。
半导体存储器装置及其形成方法(公开号 CN119183294A)
- 申请时间:2024 年 6 月。
- 技术内容:通过垂直堆叠多个纳米线和包绕纳米线的多个存储膜,每个存储膜包含形成在相应纳米线上的至少两个介电层,还包含围绕存储膜的栅极电极层,以及能够密封该栅极电极层的隔离结构,隔离结构直接与栅极电极层和存储膜的至少两个介电层接触。
- 作用效果:可以有效提高存储密度和读取速度,有助于降低能耗,实现更好的电气性能和抗干扰能力。