以下是华邦电子一些半导体结构专利的具体案例：

半导体结构及其制造方法（公开号 CN118843308A）：

• 专利简介：2023 年 5 月申请。该制造方法包含对基板执行第一刻蚀制造工艺以形成第一沟槽，以及顺应性地形成顺应层于第一沟槽的表面。还包含沿着第一沟槽对基板执行第二刻蚀制造工艺，以形成第二沟槽于第一沟槽下方，在第二刻蚀制造工艺中，顺应层比基板具有更高的刻蚀抗性，使得第二沟槽的顶部宽度大于第一沟槽的底部宽度。
• 技术优势：通过将形成主动区的刻蚀制造工艺分为两次，并搭配顺应层的形成，能够维持主动区所需的线宽大小，改善存储器装置的良率以及性能。

半导体存储器及其控制方法（公开号 CN118942507A）：

• 专利简介：2024 年 4 月申请。半导体存储器包括具有多个子阵列的存储单元阵列、以及当活化多个子阵列的第 1 子阵列内任一字线时，将字线和在行方向与第 1 子阵列分隔设置的第 2 子阵列内对应的字线活化的控制电路。
• 技术优势：即使当多个子阵列中任一子阵列的不良位线的数目超出该子阵列中设置的备用位线时，也可以挽救不良位线，从而提升存储器的可靠性和性能。

内存组件及其制造方法（公开号 CN118804593A）1010：

• 专利简介：2023 年 7 月申请。内存组件包括定义于半导体衬底中的多个有源区；多个字线结构，形成于半导体衬底上且交错于多个有源区，其中各字线结构包括浮置栅极以及堆叠于浮置栅极之上的控制栅极；多个第一保护层，分别覆盖一字线结构的控制栅极的上部，其中各字线结构的控制栅极的底端低于各第一保护层的底端；以及第二保护层，覆盖多个第一保护层，且包覆多个字线结构。
• 技术优势：通过特定的结构设计，有助于提升内存组件的性能。