华邦电子半导体存储专利中提高存储性能的措施主要有以下方面：

工艺改进方面

• 精确控制刻蚀工艺：“半导体结构及其制造方法” 专利中，制造主动区时采用两次刻蚀工艺。先进行第一刻蚀工艺形成第一沟槽，再在沟槽表面形成顺应层，然后进行第二刻蚀形成第二沟槽，使第二沟槽顶部宽度大于第一沟槽底部宽度，精准维持主动区线宽，提高存储器良率和性能。

架构设计方面

• 智能算法嵌入：在存储单元中嵌入智能算法，自动优化数据读写流程，让设备在处理高并发数据时效率与稳定性更高。
• 不良位线处理创新：“半导体存储器及其控制方法” 专利，针对串联存储单元阵列，当子阵列内不良位线超备用位线数量时，控制电路可激活隔壁子阵列对应字线，利用其良好单元进行数据存取，减少存储失效，提升可靠性和性能。

产品创新方面

• 推出 HYPERRAM™：具有少引脚、超低功耗和高传输速度的优点，为物联网、智能家居、穿戴设备、汽车和工业应用提供更优内存解决方案。
• 开发 CUBE：采用 3D 堆叠和 TSV 互连技术，通过高达 1024 个 IO 实现超高带宽，带宽可达 16GB/s 至 256GB/s，后续有望提升至 256GB/s 至 1TB/s，IO 速度在 1K IO 时可高达 2Gbps，能为边缘 AI 设备提供强大的数据传输能力。