华邦电子在半导体领域有诸多关键技术，以下是一些主要的技术：

1. CUBE 架构技术：CUBE 是一种半定制化超高带宽元件，专为边缘 AI 运算装置设计。它利用 3D 堆栈技术并结合异质键合技术，能提供高带宽低功耗的内存，容量为单颗 256Mb 至 8Gb。该技术可实现在混合云与边缘云应用中运行生成式 AI 的性能，具备节省电耗、卓越的性能、高经济效益等特性，功耗低于 1pJ/bit，带宽可达 32GB/s 至 256GB/s，IO 速度于 1K IO 可高达 2Gbps。
2. HYPERRAM 技术：华邦的 HYPERRAM 是一种高性能、低功耗的内存技术。目前已量产的 HYPERRAM 3.0 采用自研 38nm 和 25nm 工艺，I/O 接口从 x8 增加到 x16，最高运行频率为 200MHz，数据传输速率提升至 800Mbps。它非常适合于电池供电设备，在运行和混合睡眠模式下均能提供超低功耗，如 64Mb HYPERRAM 在 1.8V 待机功耗仅为 70uW，混合睡眠模式下的功耗可低至 35uW。此外，还提供多种封装形式，能满足多样的市场需求，并且引脚少，可大幅简化 PCB 布局设计。
3. LPDDR4/4X 内存技术：这是华邦电子专为最新一代汽车应用设计的第四代低功耗内存技术。能够在保持性能的前提下实现节能，提供双倍数据传输速率，具备低功耗和设计灵活性。其采用紧凑型 100BGA 封装，尺寸比传统的 200BGA 封装缩小 50%，与封装相关的碳排放量也相应降低 50%，且 100BGA 封装完全兼容现有的 200BGA 单芯片封装，能有效简化汽车制造商的过渡过程。该内存内置 ECC 电路，在提高单位元错误纠正能力的同时支持更高质量，从而在降低待机和刷新功耗的同时提高内存可靠性。
4. 闪存技术：华邦电子在闪存领域有多项技术成果。例如，2007 年推出的 Quad SPI 序列式闪存，效能优于传统序列式内存，使华邦在全球闪存市占率逐年提高，目前为全球序列式闪存前三大供应商之一。2014 年，推出 1Gb 以上的闪存，提供更大容量的编码式闪存解决方案。2024 年推出的 W25Q RV 系列 NOR 闪存，具备低功耗和紧凑的封装尺寸，同时支持高达 105°C 的工业级温度。
5. 制程工艺技术：华邦电子的产品制程技术覆盖 0.11μm 至 70nm 范围，在 DRAM 和闪存产品的制程工艺上不断推进。如 2012 年成功量产 46nm 制程技术，2013 年开始投入 3Xnm 制程技术的研发，2023 年 20nm 制程利基型 DDR3 产品实现大规模出货，不断提高芯片的集成度、性能，降低生产成本。