华邦电子的非易失性存储器技术的研发进展
深圳市星际芯城科技有限公司
发表:2025-04-15 11:01:21 阅读:38

华邦电子在非易失性存储器技术研发方面有以下最新进展:



  • 新专利提升性能:2025 年 1 月 21 日,华邦电子宣布获得 “内存装置以及用于控制非易失性内存的操作方法” 专利(授权公告号为 CN113886897B)。该专利涉及的内存装置具有更高效的非易失性内存控制技术,既提高了读写速度,又优化了能耗。其创新设计允许更灵活的操作方法,能让设备在更短时间内响应用户请求,处理更复杂的数据集,在数据密集型应用中优势明显,如游戏加载时间显著缩短,程序切换更加流畅。


此外,华邦电子在 Serial NOR Flash 方面也有产品创新。如 2023 年推出的 8Mb 3V W25Q80RV,由其 12 寸晶圆厂采用 58nm 工艺制造,与 90nm 前代产品相比尺寸减小。该产品具备更高读取速度,支持直接从双 / 四通道 SPI(XIP)执行代码以及到 RAM 的代码映射,为固件 OTA 和工业应用带来更快编程与擦除速度,其小尺寸和系统内封装(SiP)为嵌入式系统带来更大价值。


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