卓胜微的晶圆级封装技术未来将朝着更高集成度、更高性能、更广泛应用领域以及国产化替代加速等方向发展，具体如下：

• 更高集成度的封装工艺：随着手机等移动智能终端不断向小型化发展，对射频前端芯片集成度要求越来越高。卓胜微将继续推进 3D 堆叠封装技术发展，通过该技术实现更好的性能和面积优势，满足下一代器件性能、成本需求，达成产品快速迭代及模组化、系统化的高端产品规划。
• 性能优化与提升：公司会持续通过工艺创新与材料研发来优化封装技术性能。如利用 “射频模组封装结构及其制作方法” 专利技术，进一步降低射频模组内部电磁干扰，提升信号完整性；借助 SiC 衬底技术，让射频开关在更严苛环境下保持稳定性能，以适配更多高频、高温等应用场景。
• 先进工艺与产能扩充：卓胜微将深入挖掘 Fab - Lite 模式潜力，打造 “智能质造” 资源平台，把晶圆制造与晶圆级先进封装有机结合，突破传统晶圆制造技术平台限制。未来会继续扩充 12 英寸 IPD 平台等先进工艺的产能，提升生产效率与产品良率，以满足市场对高性能射频前端产品的需求。
• 应用领域拓展：公司将以自建产线的资源平台能力为核心，把握并拓展在 AI、机器人、智能驾驶等多元化智能终端市场的机会，将晶圆级封装技术应用到更多新兴领域，扩大市场份额。
• 国产化替代加速：在全球政治环境不确定性增加的背景下，射频前端的国产化替代趋势明显。卓胜微作为国内射频前端芯片龙头企业，将受益于这一趋势，其晶圆级封装技术也将在国内产业链协同发展中不断进步，实现从芯片设计、半导体制造到封装测试等环节的全面国产化，降低外部风险，提升产业竞争力。