华邦电子通过减小封装尺寸、采用无塑料封装、开发多芯片合封技术以及创新 3D 堆叠技术等方式，实现低电压闪存技术的封装技术创新，具体如下：

• 缩小封装尺寸：华邦电子推出 100BGA LPDDR4/4X 产品，相对于传统的 200BGA，其封装体积缩小了一半左右，可减少化学物品消耗，降低整体材料成本，还能减少器件在 PCB 的占用空间。此外，HYPERRAM 系列采用 24BGA、WLCSP 等封装，尺寸比传统的 LPDDR 产品封装小很多，能节约 PCB 面积。
• 采用无塑料封装：HYPERRAM 系列大多采用没有外部塑料的封装，相比传统封装，进一步降低了材料消耗和成本，同时也有助于减少产品整体功耗。
• 开发多芯片合封技术：华邦电子与芯片厂合作提供 SiP（System in Package）多芯片封装解决方案，将内存与控制器芯片堆栈整合，并放入单个封装或模块中。采用 KGD（Known Good Die）销售模式，在晶圆层面完成测试和筛选后再与 SoC 进行整合封装，可有效降低材料浪费，减少电路板的占用空间，还能缩短传输路径，降低附载电阻和寄生电容，减少 I/O 驱动能力需求，从而降低能源消耗。
• 创新 3D 堆叠技术：华邦电子开发的 CUBE 技术，作为客制化的高宽带存储芯片 3D TSV DRAM，利用 3D 堆叠技术并结合异质键合技术。将 SoC die 置上，DRAM die 置下，可省去 SoC 中的 TSV 工艺，降低 SoC die 的尺寸与成本，同时 3D DRAM TSV 工艺可将 SoC 信号引至外部，进一步缩减封装尺寸。此外，通过硅通孔（TSV）可增强性能，改善信号完整性和电源稳定性，缩小 I/O 面积并提升散热效果。