卓胜微拥有多项封装结构专利，这些专利在降低成本、提升性能等方面具有显著优势，以下是部分专利介绍：

• 封装结构及其制备方法（公开号 CN120127058A）：申请于 2023 年 12 月。该专利通过设置互连的导电柱与第一导电结构，使导电柱高度降低，制备时可使用更薄的图形化光刻胶，减少其用量，进而降低制备导电柱及封装结构的成本。
• 封装结构、芯片结构及其制备方法（授权公告号 CN117238894B）：申请于 2023 年 9 月，2024 年 7 月获得授权。专利中封装结构包括封装基板、多个芯片组、第一导电立墙、第二导电立墙等。第一导电立墙与导电层构成芯片组的屏蔽结构，第二导电立墙等形成芯片之间的内部隔离，使封装结构具有屏蔽功能。
• 封装结构（申请号 CN202322163774.3）：2024 年 5 月获得实用新型专利授权。该封装结构包括第一芯片结构、第一绝缘层和第一互连结构，通过在第一芯片结构上形成第一绝缘层并设置通孔，使第一互连结构贯穿连接第一导电端口，避免了制备高铜柱及硅通孔工艺，简化垂直互连，同时第一芯片结构无需使用导电柱和焊球。
• 射频模组封装结构及其制作方法（公开号 CN117637497A）：2024 年申请。通过隔离膜与屏蔽构件设计，将射频模组内部电磁干扰降低 15dB，信号完整性提升 20%。该技术已应用于 L - PAMiD 模组，可支持小米 14 Pro 的 5G 信号切换延迟降至 5μs 以下。