华邦电子在制程技术方面取得了诸多突破，主要体现在 DRAM 和闪存领域，通过不断缩小制程尺寸，提升了产品性能与竞争力，具体如下：

• DRAM 制程技术突破：华邦电子的 DRAM 制程技术不断演进。其自有开发的 3x 纳米 DRAM 制程技术在 2017 年通过内部认证并于当年第三季度量产，2018 年进入 2x 纳米制程。截至 2024 年，其 DRAM 产品制程已演进到 20 纳米，使其在中低容量利基型内存产品中树立了标杆。
• 闪存制程技术突破：华邦电子闪存产品制程从 58 纳米逐步提升。2024 年下半年，其 45 纳米制程 NOR Flash 进入量产，并成功打入苹果 AirPods 新品供应链，打破了此前因颗粒较大未能通过高端产品认证的瓶颈。在 NAND Flash 领域，华邦电子从 46 纳米迈向 1x 纳米，并采用 3D NAND 结构提升密度，其 QspiNAND Flash 系列支持高容量、高传输速率，全球首款 OctalNAND Flash 为汽车、通信和工业系统提供了高性能、高性价比的存储解决方案。