卓胜微的专利技术 “射频模组封装结构及其制作方法”（公开号 CN117637497A）属于半导体器件制造领域，旨在解决射频模组现有工艺中电磁屏蔽层可靠性风险、工艺繁琐成本高及后续工艺兼容性问题。以下是具体介绍：

封装结构：

• 封装基板：包括主面，以及设置于主面上的接地区及电极部。
• 射频芯片：设置成与封装基板的电极部电连接。
• 隔离膜：贴设于射频芯片以及封装基板的主面上，在射频芯片与封装基板的主面之间围合成封闭空腔，隔离膜包括位于射频芯片外围的开口区以显露出接地区。
• 屏蔽构件：设置于隔离膜上且与露出的接地区接触以实现接地，可共形覆盖隔离膜，包括包覆各射频芯片的分腔屏蔽罩部。
• 外塑封层：包覆屏蔽构件以及封装基板。

制作方法：

• 键合芯片：将射频芯片键合于基板之上，使射频芯片与基板的电极部电连接。
• 贴合隔离膜：通过真空压合或真空热压法将热固性胶膜（如环氧系胶膜或丙烯酸系胶膜，厚度为 10μm-100μm）贴设于射频芯片以及基板的主面上，再通过烘烤方式使热固性胶膜固化形成隔离膜。
• 划开隔离膜：采用激光烧蚀法或刻蚀法等使隔离膜破膜，显露出基板的接地区。
• 形成屏蔽构件：使用溅射法或气相沉积法形成屏蔽构件，使其共形覆盖隔离膜，并与露出的接地区接触。
• 塑封：形成包覆屏蔽构件以及基板的外塑封层。
• 分板：对整块基板进行分板，得到多个射频模组封装体。

技术优势：该专利技术能降低系统级封装模块内部的电磁耦合和干扰，屏蔽外部电磁干扰，将射频模组内部电磁干扰降低 15dB，信号完整性提升 20%。同时还提升了工艺稳定性和加工作业效率，兼顾低成本，适于大规模生产和应用。该技术已应用于 L-PAMiD 模组，可支持手机 5G 信号切换延迟降至 5μs 以下。