华邦电子的 KGD 技术目前已进入 2.0 时代，处于持续升级和优化阶段。

KGD 2.0 是以 3D 堆叠的 KGD，通过 TSV（硅穿孔）的深宽比能力，可做到 1:10，能将芯片厚度打磨至 50 微米。其信号完整性 / 电源完整性（SI/PI）表现更好，功耗可低于 LPDDR4 的四分之一，为 8pJ/Byte，带宽能实现 16-256GB/s。同时，华邦电子成立了 3DCaaS 平台，可向客户提供包括 DRAM、中介层、硅电容在内的整体解决方案，在封装工艺上，无论是 TSV、还是 WOW（Wafer on Wafer），都已达成与业内相关企业的合作，构建了合作伙伴生态。

此外，华邦电子还在不断推进制程工艺演进，其高雄工厂 20nm 产品已在 2023 年年中进入量产阶段，并计划向 19nm 制程演进，为 KGD 技术提供更先进的制程支持。