卓胜微的封装结构专利技术研发始于近年来对芯片性能和生产工艺优化的需求，其研发历程主要如下：

• 早期技术积累与探索：卓胜微早期专注于射频前端芯片研发与生产，在发展过程中逐渐意识到封装结构对芯片性能的重要性，开始投入资源进行封装技术研究。公司不断加大研发投入，为封装结构专利技术研发提供资金支持，如 2023 年公司在研发方面投入了 6.29 亿元，同比增 39.99%。
• 封装结构工艺优化专利出现：2023 年 11 月，卓胜微申请了 “封装结构及其制备方法” 专利（CN117855198A）。该专利通过特殊设计，在形成第一布线结构层的同时形成电容以及第一电感条，将电感导电柱形成在后道封装工艺中，使形成有电容的第一布线结构层以及形成有电感的绝缘层共同作为衬底进行二次集成，有效缩短了工艺步骤。
• 屏蔽功能封装结构专利授权：2023 年，卓胜微申请 “封装结构、芯片结构及其制备方法” 专利（CN202311251569.0），并于 2024 年 7 月 9 日获得授权。该专利中的封装结构包括封装基板、芯片组、第一导电立墙等，第一导电立墙同导电层共同构成芯片组的屏蔽结构，第二导电立墙、第一导电立墙以及导电层形成各个芯片之间的内部隔离，使封装结构具有良好的屏蔽功能。
• 射频模组封装技术突破：2024 年，卓胜微申请 “射频模组封装结构及其制作方法” 专利（CN117637497A）。该技术通过隔离膜与屏蔽构件设计，将射频模组内部电磁干扰降低 15dB，信号完整性提升 20%，并应用于 L-PAMiD 模组，支持小米 14 Pro 的 5G 信号切换延迟降至 5μs 以下。
• 3D 堆叠等先进封装技术发展：卓胜微还开展了 3D 堆叠封装技术研发。通过 3D 堆叠封装形式实现了更好的性能和面积优势，缩短了信号传输距离，提高了信号传输效率，降低了信号延迟，支持更高的工作频率，满足了移动智能终端小型化、轻薄化、功能多样化的需求。同时，其芯片保护环结构专利也在这一时期出现，通过在保护环上设置开口及金属阻挡结构，提高了芯片在极端条件下的可靠性。