华邦电子在存储技术优化方面有多个具体研发方向，主要包括性能提升、能效优化、安全强化、集成与小型化以及适配端侧 AI 发展等，具体如下：

性能提升：

• 提高数据读写速度：随着 5G、AI、大数据等技术发展，华邦电子将通过优化存储架构和编程方法，如利用 “半导体存储装置以及编程方法” 专利技术，提升数据读写速度，满足智能设备快速处理大量数据的需求。
• 降低响应延迟：针对边缘计算、自动驾驶等对实时性要求高的领域，持续改进技术，减少数据访问和传输的等待时间，使设备能更迅速响应用户操作和外部事件。

能效优化：

• 降低功耗：随着物联网设备普及，华邦电子将完善能效管理技术，如开发根据操作需求动态调整功耗的技术，降低设备运行和待机能耗。
• 能量收集与利用：探索与能量收集技术结合，使存储设备能利用太阳能、振动能等环境微弱能量，实现自我供电或辅助供电，提高能源自给能力和可持续性。

安全强化：

• 升级加密技术：面对严峻的数据安全威胁，不断升级加密技术，采用先进加密算法和密钥管理系统，提升 TrustME® 系列等安全闪存产品的安全等级，满足金融、医疗等对数据安全要求极高的行业需求。
• 增强硬件安全防护：从硬件层面加强保护，增加防篡改电路、采用更安全的封装技术等，防止存储设备受到物理攻击和篡改，确保在各种复杂环境下的数据安全。

集成与小型化：

• 提高集成度：推进 3D 封装等技术，提高存储芯片集成度，在更小体积内实现更大存储容量和更高性能，进一步优化 CUBE 产品等，提供更高的带宽和容量。
• 深度集成其他组件：注重与处理器、传感器等其他组件深度集成，形成更高效的系统级解决方案。通过优化接口和数据传输协议，提高整个系统的运行效率和性能。

适配端侧 AI 发展：随着端侧 AI 技术的发展，积极布局端侧 AI 市场，推动 DRAM 技术向 20nm 乃至 16nm 发展，NAND Flash 和 NOR Flash 分别向 24nm 和 45nm 工艺演进。推出更多像车规级 W77T 安全闪存这样满足端侧 AI 需求的产品，为智能设备提供高性能、低功耗、高可靠性的存储支持。