华邦电子在发展过程中经历了诸多重大挑战，包括市场波动、合作方变动、技术研发压力以及行业竞争加剧等，具体如下：

• DRAM 市场波动与产能过剩：DRAM 产业具有明显的景气循环特征。1996-1998 年、2001 年、2008 年，台湾 DRAM 产业因产能供过于求、网络泡沫、金融海啸等因素遭遇严重亏损，华邦电子作为其中一员，难以置身事外。2001 年华邦电因产能过剩大赔百亿元，8 吋晶圆厂产能闲置，面临巨大的经营压力。
• 技术合作方频繁变动：华邦电子的 DRAM 技术伙伴多次异动。2001 年其技术母厂东芝退出标准型内存市场，合作终止。2002 年与英飞凌合作，2006 年又与英飞凌分割出来的奇梦达签署技术移转合约，但奇梦达在 2009 年因金融海啸倒闭，这给华邦电子的技术研发和业务发展带来了极大的不确定性。
• 闪存技术转型压力：2001 年时，NOR Flash 主流规格是平行式快闪记忆体，市场竞争激烈，华邦电业绩难以突破。若不及时转型，可能会在市场中逐渐边缘化。后来华邦电收购以研发序列式快闪记忆体（SPI Flash）为主的 NexFlash 公司，才成功实现技术转型，2007 年 Quad SPI Flash 成功上市，扭转了局面。
• 汽车存储领域技术要求提升：随着智能汽车的发展，汽车存储领域对芯片的要求越来越高。需要满足高容量、高速访问、安全性和可靠性、低功耗等多方面要求。例如，到 2026 年汽车领域平均存储容量预计将达到 483GB，智能汽车还需要实时访问大量数据，且要确保数据安全，这对专注于汽车存储相关产品的华邦电子来说是不小的挑战。
• 市场竞争加剧与品牌价值下滑：全球半导体产业竞争日益激烈，华邦电子在应对市场快速变化方面稍显滞后，新产品研发进度未能跟上竞争对手，在存储芯片市场的份额受到一定挤压，导致其品牌价值出现下滑。根据 brandfinance2025 年报告，其品牌价值下降了 15.58%，排名下降 34 位。