华邦电子在低电压闪存技术相关领域拥有多项专利授权，涉及存储架构、电路设计、编程方法等方面，以下是部分专利授权情况：

• 半导体存储装置专利（CN114694708B）：2024 年获得国家知识产权局授权。该专利采用新型存储架构设计，通过在存储单元中嵌入智能算法，能自动优化数据读写流程，实现存储性能与功耗的有效平衡。
• 存储装置及其连续读写方法专利（CN113889157B）：2024 年取得国家知识产权局授权，申请日期为 2020 年 7 月。该专利通过独特的连续读写方法，实现更快的数据访问速度，在降低能耗的同时提高数据的稳定性和可靠性。
• 半导体存储器及其控制方法专利：该专利设计了能够在多个子阵列间灵活调配存取路径的控制电路，当某一子阵列内不良位线数量超过预设备用位线数量时，可激活隔壁子阵列内的对应字线，利用后者的良好单元进行数据存取，提高存储器在不良状况下的存储可靠性。
• 易失存储器以及其断电机制的控制方法专利（CN119068924A）：2024 年向国家知识产权局申请，公开号为 CN119068924A。该专利提出的断电机制控制方法，可使设备在面对断电时，智能判断是否启动低电流工作模式，延长存储设备的数据保持时间，降低能耗。
• 半导体存储装置以及编程方法专利：该专利涵盖的存储装置及编程方法，在编程过程中引入更为先进的控制算法，通过优化数据访问路径，促进数据的快速存储和读取，可应用于移动设备、云计算和人工智能等多个领域。