富满微未来在射频芯片领域有一系列明确的技术研发计划，涵盖了制程工艺、芯片集成、材料研发以及新兴应用探索等多个方面，具体如下：

• 制程工艺突破：计划在 2026 年前实现前端模组芯片量产，制程突破 28nm，以提升芯片性能和竞争力，满足高端市场需求。
• 芯片集成化发展：2025 年推出前端模组芯片，2028 年推出集成射频开关、滤波器、PA（功率放大器）的 5G 模组芯片，采用 SiP 封装技术实现多芯片异构集成，解决传统分立器件体积大、功耗高的问题，对标国际大厂。
• 第三代半导体材料研发：重点开发氮化镓（GaN）和碳化硅（SiC）用靶材，计划 2025 年底推出钪掺杂氮化镓靶材，用于 5G 基站射频器件，提升芯片的性能和功率处理能力。
• 适配新兴频段与应用：2025 年计划推出 28nm 射频开关芯片，集成滤波器功能，目标将市场份额从 1%-3% 提升至 5% 以上，适配 5.5G 频段及基站建设。此外，还将探索射频芯片在 6G 通信、量子计算等领域的应用，与中科院物理所合作开发稀土铁石榴石（RIG）靶材，用于量子比特磁控耦合层镀膜。