卓胜微射频前端芯片的技术未来将呈现出集成化、高性能、自主可控等发展趋势，具体如下：

更高程度的集成化

• 模组化深度发展：随着手机等智能终端的小型化发展，射频前端芯片模组化成为必然趋势。卓胜微正在建设高端先进模组技术能力，通过 3D 堆叠封装形式，实现更好的性能和面积优势。公司的 L-PAMiD 产品性能、工艺和技术已达到行业主流水平，通过了部分品牌客户验证，未来模组化产品的集成度将不断提高，功能也将更加丰富。
• 与更多功能模块融合：卓胜微的射频前端产品已基本实现四大射频分立器件和射频模组的全面覆盖，未来可能会与更多的功能模块进行融合，如将射频开关、低噪声放大器、滤波器等与传感器、微控制器等集成，形成更强大的系统级解决方案，为智能终端及通信基站等提供更高效的无线连接。

性能持续提升

• 射频开关性能优化：卓胜微的射频开关在切换速度、隔离度、插入损耗等关键性能指标上表现良好，未来将继续优化这些性能。例如，通过改进工艺和设计，进一步提高切换速度，以满足 5G、6G 等高速通信的需求，同时降低插入损耗，减少信号传输过程中的能量损失，提高信号强度和质量。
• 低噪声放大器和滤波器性能强化：低噪声放大器将不断提高信号放大能力和降噪能力，提高移动智能终端的信号接收灵敏度和数据传输率。滤波器则会在保留特定频段内信号、滤除特定频段外信号方面的性能更加优异，具有更高的选择性和抑制干扰的能力，为通信系统提供更干净、稳定的信号环境。

自主可控与国产化进程加速

• 自建产线优势凸显：卓胜微已实现由 Fabless 向 Fab - Lite 模式的战略转型，自建产线优势明显。公司自有产线已实现双工器 / 四工器、单芯片多频段滤波器等分立器件的规模化量产，集成自产滤波器的 DiFEM、L - DiFEM、GPS 模组等产品已成功导入多家品牌客户并持续放量。未来，随着自建产线的不断完善和扩大，将进一步提高公司在射频前端芯片领域的自主可控能力，降低对外部代工厂的依赖，保障供应链安全。
• 推动国产替代深入发展：卓胜微推出的 L - PAMiD 产品是业界首次实现全国产供应链的系列产品，彰显了公司具备提供射频前端全品类解决方案的能力。未来，公司将继续发挥自身技术和产能优势，抓住国产替代的机遇，不断提高高端射频模组的国产化程度，推动我国射频前端芯片产业生态的完善。

应用领域不断拓展

• 向新兴领域延伸：公司产品除了应用于智能手机等移动智能终端外，还在向智能穿戴、通信基站、汽车电子、VR/AR 等领域拓展。不同应用领域对射频芯片的需求特点各异，卓胜微将根据各领域需求，灵活调整产品设计和生产工艺，开发出满足特定应用需求的产品，从而拓展市场空间，降低对单一应用领域的依赖。