卓胜微射频开关技术的抗静电（ESD）设计具有多种创新方式，以下是一些主要方面：

• 分体式芯片布局：根据专利 CN119834783A，卓胜微采用分体式芯片布局来分散静电能量，这种设计可使抗静电能力提升至 4KV，能够满足手机等消费电子设备频繁插拔等场景下的抗静电需求。
• 基于 SiC 基的材料创新：卓胜微与天岳先进合作开发 SiC 基射频开关，耐温性提升至 150℃，抗静电能力达 6KV，适配车规级 V2X 通信。这种材料创新不仅提高了抗静电性能，还拓宽了产品在车规级等对 ESD 要求较高领域的应用。
• 优化 ESD 保护结构：卓胜微可能采用了类似引入钳位 ESD 保护单元的方式，改变 ESD 的释放通路，如在一些设计中通过特定的电容、钳位 ESD 保护单元和开关的组合，在不显著增加芯片尺寸的情况下，实现低插入损耗以及具备高功率处理的性能，同时解决现有 ESD 保护结构存在的尺寸大及引入端口失配等问题。
• 工艺与结构协同设计：在工艺方面，卓胜微采用 RF SOI 工艺和优化的半导体结构设计，如通过掺杂浓度优化降低寄生电容（如专利 CN119497416A），这种工艺优化不仅有助于提升射频开关的整体性能，也对 ESD 保护起到了积极作用。此外，其可能还通过合理的晶体管布局和结构设计，增强了器件对静电放电的耐受能力。