华邦电子 HyperRAM 技术相比传统 RAM 技术，在功耗、性能、引脚数、封装尺寸及成本等方面具有显著优势，具体如下：

• 低功耗：HyperRAM 的功耗表现出色，以华邦的 64Mb HyperRAM 为例，在室温 1.8V 条件下，其待机功耗为 70μW，而相同容量的 SDRAM 的功耗则是 2000μW（3.3V），HyperRAM 在混合睡眠模式下的功耗仅有 35μW，与传统 RAM 相比有明显差异，能有效延长移动设备的电池寿命。
• 高速度：华邦电子的 HyperRAM 3.0 产品在 1.8V 工作电压下的最高运行频率为 200MHz，数据传输速率提高至 800MBps，是以往产品的两倍，能够满足一些对数据传输速度要求较高的应用场景。
• 低引脚数：与常见的 pSRAM 动辄 31 个引脚相比，HyperRAM 仅配备 13 个引脚，大大简化了 PCB 布局设计，使设计人员能够用 MCU 的其他脚位实现更多功能，同时也降低了设计难度与系统成本。
• 节省空间：HyperRAM 可以采用最新型的半导体制程节点与封装技术，以此缩小产品封装尺寸。较少的主机控制接口与较小的封装尺寸均帮助 HyperRAM 减少内存在 PCB 板上的占用空间，从而可大幅节省终端产品的体积，更适用于尺寸敏感的可穿戴设备等。
• 成本优势：与 SRAM 相比，相同容量的 HyperRAM 具备更低价格和更高性能，在提供更优成本的同时还能减小 PCB 的面积使用，从而为厂商进一步降低花费。