卓胜微在射频开关技术的 ESD 方面，基于 SiC 基的材料创新主要体现在与天岳先进合作开发 SiC 基射频开关。

SiC 作为一种宽禁带半导体材料，具有禁带宽度大、击穿电压高、热导率高等优点，这些特性使得 SiC 基射频开关在 ESD 防护方面具有天然的优势。卓胜微与天岳先进合作开发的 SiC 基射频开关，耐温性提升至 150℃，抗静电能力达 6KV，适配车规级 V2X 通信，已进入比亚迪供应链，用于车载雷达 77GHz 频段信号切换，支持多通道并行工作。