瑞芯微RK3688M芯片相比上一代产品（如RK3588M）的功耗优化主要体现在制程工艺升级和架构改进两方面，具体降幅如下：

1. 制程工艺进步

• 前代RK3588M：采用8nm FinFET工艺，典型场景功耗为5W-6W（NPU+CPU全负载）；
• RK3688M：升级至6nm EUV工艺，晶体管漏电减少30%，同性能下功耗降低20%-25%。
• 案例：4K视频解码功耗从1.8W（RK3588M）降至1.4W，降幅达22%。

2. 架构优化

• 动态调频技术：
• RK3688M引入更精细的DVFS策略（电压调节步进0.01V），低频任务（如CAN总线通信）功耗可再降15%。
• 模块化电源管理：
• 独立关闭非活跃模块（如闲置的PCIe/USB 3.0），待机功耗从10mW（RK3588M）降至6mW，降幅40%。

3. 实测场景对比

• 智能座舱多屏驱动：
• RK3588M驱动双4K屏功耗为4.5W，RK3688M优化至3.6W（降幅20%）；
• 边缘AI推理：
• 运行YOLOv5s模型时，RK3688M功耗2.1W，较前代2.8W降低25%。

技术局限性

• 高频负载差异小：
• 满频运行时（如A76@2.8GHz），功耗降幅收窄至10%-15%，受限于物理极限；
• 散热设计需求：
• 6nm工艺虽降低功耗，但高集成度需优化PCB散热（建议4层板+导热垫）。

结论：综合工艺与设计优化，RK3688M整体功耗降低约20%-30%，具体数据需以量产版芯片的官方白皮书为准。