华邦电子在 NOR 与 NAND 闪存技术 领域近期取得多项突破，涵盖 制程升级、低功耗设计、高性能接口 等方面，以下是核心进展总结：

1. NOR 闪存技术突破

• 45nm 制程量产与市场拓展：
• 华邦全球领先的 45nm NOR Flash 已大规模量产，2024年贡献公司约24%营收。该制程进一步缩小芯片尺寸，适配可穿戴设备和物联网（IoT）等小型化应用需求。
• 超低电压技术：
• 推出业界首款 1.2V NOR Flash，支持 Dual/Quad SPI 和 QPI 接口，功耗降低30%，适用于智能家居和5G设备。
• 高容量与安全增强：
• W25Q256JV（256Mb）支持 XIP（就地执行） 和 Quad SPI，车规级型号通过 AEC-Q100 认证，加速车载ECU启动。

2. NAND 闪存技术突破

• 24nm 制程量产：
• 华邦 24nm NAND Flash 已成功量产，标志着其在存储技术领域的进一步突破，未来将聚焦大容量市场（如SSD、服务器）。
• QspiNAND 创新：
• 1.8V 1Gb QspiNAND（W25N01KW）待机功耗仅 1μA，连续读取速度达 52MB/s，适配可穿戴设备和低功耗IoT终端。
• 内置 ECC纠错 和 坏块管理，无需额外控制器，简化设计。
• OctalNAND 高带宽应用：
• 全球首款 8 I/O串列式NAND Flash，数据传输速率 83MB/s，为汽车显示和工业系统提供高性价比代码存储方案。

3. 技术融合与生态协同

• 绿色制造：
• 45nm NOR 和 24nm NAND 制程均融入低碳设计理念，降低能耗30%，契合全球减碳趋势。
• 安全解决方案：
• TrustME® 系列 闪存集成硬件加密（AES-256），通过 ISO 21434 汽车安全认证，应用于支付终端和自动驾驶模块。

4. 未来方向

• 制程微缩：NOR 向 28nm、NAND 向 20nm 推进，进一步提升存储密度和能效。
• 3D堆叠技术：探索 Hybrid Bonding 封装，实现更高集成度（如CUBE架构）。

华邦通过 “NOR+NAND”双轨创新，持续巩固在工业、汽车和消费电子领域的领先地位。