华邦电子的总产能规划及分布情况如下：

1. 总产能规模

• 当前月产能：
• DRAM：约 3.9万片/月（12英寸晶圆）
• 高雄厂：1.5万片（20nm D20工艺，2025年数据）
• 台中厂：2.4万片（25nm及部分20nm工艺，2025年减产至80%稼动率）
• NOR/NAND Flash：约 5.7万片/月（12英寸晶圆，台中厂为主）
• 历史对比：
• 2022年高雄新厂投产后，DRAM总产能从2.5万片/月提升至3.9万片/月（含新旧制程）。
• 2024年高雄厂20nm DRAM良率超90%，产能达1.5万片/月。

2. 工厂分布与分工

• 高雄厂（12英寸）：
• 定位：先进DRAM制程（20nm及未来的16nm）
• 产能：2025年满载1.5万片/月，2026年计划扩至2.4万片/月（16nm导入后）。
• 技术：主攻DDR4/LPDDR4及利基型DRAM，避开DDR5竞争。
• 台中厂（12英寸）：
• 定位：成熟制程DRAM（25nm）与NOR/NAND Flash
• 产能：DRAM约2.4万片/月（2025年Q4减产至80%稼动率），Flash产能维持5.7万片/月。

3. 未来规划（2026-2027）

• 16nm DRAM量产：
• 高雄厂2026年试产16nm DDR4/LPDDR4，目标良率≥90%，最终月产能2.4万片。
• 产能调整：
• 台中厂25nm DRAM逐步减产，转向20nm及Flash生产；高雄厂承接DRAM先进制程需求。

4. 战略意义

• 差异化竞争：聚焦 利基型DRAM（车规、工控）与 NOR Flash（全球市占第一），避开与三大巨头的先进制程正面竞争。
• 绿色制造：高雄厂再生能源使用比例30%，目标2030年碳中和。