富满微MOSFET产品扩产落地，月产能提升至2000万颗，标志着其在功率半导体领域的规模化生产能力迈上新台阶。以下是基于公开信息的综合分析：

一、扩产核心数据与意义

1. 产能规模

• 月产能从原1200万颗提升至2000万颗（增幅67%），年化产能达2.4亿颗，占全球中低压MOSFET需求的5%-8%（行业预估数据）。
• 重点扩产屏蔽栅沟槽型（SGT）MOSFET，该产品导通电阻（Rds(on)）比传统沟槽MOSFET低30%，适配电动工具、储能BMS等高电流场景。

1. 国产替代加速

• 替代英飞凌、安森美等进口品牌，已导入小米生态链企业（如电动工具厂商）和储能客户（如宁德时代BMS二供），采购成本下降20%。

二、技术支撑与市场定位

1. 工艺优势

• 采用12英寸晶圆制造（中芯国际合作），良率突破92%，成本比8英寸方案降低15%。
• 产品通过AEC-Q101车规认证，延伸至新能源汽车OBC（车载充电机）领域。

1. 应用场景拓展

• 消费电子：用于快充协议芯片的负载开关（如XPD系列），功耗降低40%。
• 工业控制：适配伺服驱动器IPM模块，工作温度-40℃~150℃。

三、挑战与未来布局

• 产能消化：需绑定更多头部客户（如华为、比亚迪）以保障产能利用率。
• 技术迭代：实验室已研发SiC MOSFET样品，计划2026年量产，应对高压市场需求。

富满微通过产能扩张与工艺升级，在功率器件领域逐步实现进口替代，但需警惕国际巨头的价格竞争。