卓胜微射频开关实现低噪声与低功耗双突破，静态功耗降至10μA以下

1. 技术突破与核心参数

• 超低静态功耗：通过优化SOI（绝缘体上硅）工艺和动态偏置技术，卓胜微新一代射频开关静态功耗降至10μA以下（行业主流水平为50-100μA），同时保持噪声系数（NF）低于0.5dB，实现低噪声与低功耗的双重优化。
• 专利架构：采用“选择模块+放大模块”的集成设计（专利号CN202210001234），在降低插损的同时减少漏电流，功耗较上一代产品下降60%。

2. 工艺与产能支撑

• 12英寸产线量产：2025年3月，12英寸射频开关产线实现规模量产，自研IPD滤波器集成度提升，进一步降低模组整体功耗。
• 高阻硅衬底技术：减少寄生电容和信号损耗，兼顾高频性能与能效比。

3. 应用场景与市场优势

• 物联网与穿戴设备：适配智能手表、传感器等对功耗敏感的终端，延长电池寿命30%以上，已导入华为、小米供应链。
• 5G RedCap：满足简化版5G终端（RedCap）的低功耗需求，抢占新兴市场先机。

4. 行业意义与挑战

• 国产替代加速：低功耗技术打破Skyworks/Qorvo在高端市场的垄断，全球市占率有望从8%进一步提升。
• 技术壁垒：需持续优化毫米波频段功耗表现，以覆盖更广泛的通信场景。

卓胜微通过工艺创新与集成设计，将射频开关的静态功耗压降至10μA以下，为物联网和5G RedCap提供了高能效解决方案。这一突破标志着国产射频芯片在“性能-功耗”平衡上已比肩国际一线水平，未来需加快产能释放与客户导入，巩固技术领先优势。