华邦电子在 2025年4月 正式宣布其 24nm NAND Flash 工艺已顺利投入量产，标志着公司在存储技术领域的又一重要突破。以下是关键信息总结：

1. 技术突破与量产进展

• 制程升级：
• 24nm工艺成功量产，较前代制程进一步提升存储密度和能效，单位容量成本降低 20%，适配 512Mb~4Gb 中高容量需求。
• 量产时间表：
• 2025年4月 完成量产准备并开始供货，优先满足工业、汽车电子等长生命周期客户需求。

2. 产品定位与优势

• 性能提升：
• 支持 四通道SPI接口，连续读取速度达 83MB/s，写入速度较NOR Flash提升 5倍，适用于工业显示、车载系统等场景。
• 可靠性保障：
• 擦写寿命 10万次，数据保留 10年以上，通过 AEC-Q100 车规认证。

3. 市场影响

• 营收贡献：
• 2024年NOR Flash占公司营收 24%，24nm NAND量产后将进一步强化存储业务布局。
• 行业合作：
• 与高通、瑞萨等厂商合作，优化物联网和边缘计算设备的存储方案。

4. 未来方向

华邦计划2026年推出 20nm NAND Flash，并探索 3D堆叠技术 以扩展容量。