华润微作为国内领先的功率半导体 IDM 龙头，在功率半导体领域构建了从硅基器件到第三代宽禁带半导体、再到前沿氧化镓的全技术矩阵，依托 IDM 全产业链优势，在工艺、器件、材料、封装与系统方案层面实现了系统性技术创新，核心技术已达国内领先、国际对标水平。

一、硅基功率器件：迭代升级，构筑本土核心竞争力

华润微在硅基功率器件领域深耕多年，形成了覆盖中低压到高压、消费到工业车规的完整产品与工艺平台，多项技术国内领先华润微电子。

1. MOSFET：国内龙头，持续迭代

• SGT MOSFET（沟槽型）：已迭代至G6 代，在重庆 12 英寸产线量产。通过优化沟槽栅极结构、深沟槽隔离与外延工艺，实现更低导通电阻（Rds (on)）、更高开关速度与更强抗雪崩能力，广泛用于服务器电源、快充、工业控制，是公司中低压功率器件的主力技术路线。
• 超结 MOSFET（SJ MOS）：完成G4 代平台开发并量产，覆盖 600V–1200V 电压段。采用多层外延与电荷平衡优化设计，突破传统硅基 MOSFET 的比导通电阻极限，在光伏逆变器、充电桩、工业电源等高功率场景实现高效替代，性能对标国际主流竞品。
• 平面 MOSFET：覆盖低压至中高压全系列，在消费电子、家电、低端工控等领域保持成本与性能优势，支撑公司基础市场份额华润微电子。

2. IGBT：工业与车规双突破

• 推出G7 代 IGBT工艺平台，采用沟槽栅 + 场终止（FS）结构，实现更低饱和压降（Vce (sat)）与更快开关速度，平衡导通与开关损耗。产品覆盖 600V–1200V/1700V，已通过 AEC-Q101 车规认证，批量应用于新能源汽车电机控制器、车载 OBC、工业变频器与光伏逆变。
• 自主开发 IGBT 模块封装技术，优化键合与散热设计，提升模块功率循环寿命与可靠性，适配工业与车规级严苛工况华润微电子。

3. 特色功率器件

• 快恢复二极管（FRD）、肖特基二极管（SBD）：形成高压、超快恢复、低正向压降等系列化平台，与 MOSFET/IGBT 配套，提升整机效率与 EMI 性能华润微电子。
• 高压集成电路（HVIC）与 BCD 工艺：车规级 BCD+eFlash 工艺国内领先，实现功率器件与控制电路单片集成，用于电机驱动、电源管理，显著缩小系统体积、提升可靠性。

二、第三代宽禁带半导体：SiC/GaN 双线突破，车规量产

华润微是国内少数实现 SiC 与 GaN 全产业链布局并规模化量产的 IDM 企业，技术与产能同步推进，已进入车规与高端工业核心供应链。

1. 碳化硅（SiC）：G4 平台量产，车规主驱上车

• 器件技术：完成SiC MOSFET G4 代与 JBS 二极管 G3 代平台开发，覆盖650V–2200V全电压段。G4 代 1200V 产品采用创新沟槽栅与界面优化工艺，导通电阻低至 13mΩ・cm²，开关损耗较 G3 代降低 30% 以上，性能接近国际一线水平。
• 车规突破：SiC 主驱功率模块已批量装车，适配 800V 高压平台，显著提升电动车续航与充电速度；产品通过 AEC-Q101 认证，进入多家主流车企供应链。
• 产能与工艺：8 英寸 SiC MOS 已出样验证，2200V 高压 SiC 平台完成验证并启动系列化；重庆 SiC 产线 2025 年基本满产，支撑第三代半导体业务 2026 年营收翻倍目标。

2. 氮化镓（GaN）：双轨路线，外延 + 器件协同

• 技术路线：采用 **D-mode（耗尽型）+ E-mode（增强型）** 双轨布局。650V 及以上高压 GaN 以 D-mode 为主，依托 6 英寸产线规模化量产；中低压布局 E-mode GaN，适配消费快充与小型电源。
• 产品迭代：600V–900V GaN 器件完成 G3 代量产，G4 代大功率工控 / 车规级产品在研；外延中心正式启用，实现 6 英寸 GaN 外延片自主供应，支撑产能扩产与成本下降。
• 应用落地：GaN 器件用于快充、服务器电源、光伏微型逆变器，凭借高频、高效、小型化优势，快速渗透高端电源市场。

三、前沿布局：氧化镓（第四代半导体）全链条突破

• 率先实现氧化镓（Ga₂O₃）功率半导体全链条技术布局，涵盖材料生长、外延、器件设计与工艺制造，外延及器件性能达国际先进水平。
• 氧化镓凭借超宽禁带（~4.9eV）与超高临界击穿场强，在超高压（10kV 以上）、极端环境功率转换领域具备颠覆性潜力，华润微已完成原型器件验证，为下一代超高压功率器件奠定技术储备。

四、工艺与封装创新：IDM 全链赋能，提升系统价值

1. 先进制造工艺

• 构建8 英寸 + 12 英寸双晶圆制造平台，重庆 12 英寸线实现功率器件满产，深圳 12 英寸线快速爬坡，支撑高端功率器件规模化生产。
• 功率器件核心工艺（SGT G6、SJ G4、IGBT G7、SiC MOS G4）在 12 英寸线量产，良率与成本持续优化，缩小与国际巨头差距。
• 自主掌握掩模制造、外延生长、离子注入、高温退火等关键工艺环节，实现核心技术自主可控。

2. 先进封装技术

• 面板级封装（PLP）：2024 年营收同比增长 44%，实现高密度、薄型化功率器件封装，提升散热与集成度，适配 AI 服务器、快充等场景。
• SiP 系统级封装：功率器件 + 驱动 + 控制电路一体化封装，推出车规级 SiC 模块、IGBT 智能功率模块（IPM），简化客户系统设计，提升可靠性与功率密度。
• 定制化封装方案：针对新能源、车规、工业控制等场景，开发高散热、高可靠性封装结构，满足 - 40℃–150℃宽温域与高功率循环要求华润微电子。

五、技术创新体系与成果

• IDM 模式优势：设计 - 制造 - 封测全链条协同，加速技术迭代与产品落地，快速响应客户定制化需求，是国内功率半导体领域 IDM 模式的标杆企业。
• 研发投入与专利：持续高研发投入，构建覆盖器件、工艺、材料、封装的专利壁垒；功率半导体相关专利数量国内领先，支撑产品高端化与国际化竞争。
• 市场地位：中国功率半导体企业排名第二，MOSFET 厂商规模国内第一；蝉联 “中国 SiC 器件 IDM 十强”“中国 GaN 器件十强”，技术实力获行业高度认可。

六、技术创新方向与应用场景

• 车规级功率半导体：聚焦 800V 高压平台，推进 SiC 主驱模块、OBC、DC/DC 变换器、IGBT 模块车规认证与批量供货，支撑新能源汽车电驱系统升级。
• 新能源与储能：SiC/GaN 器件用于光伏逆变器、储能变流器（PCS），提升系统效率与功率密度；高压 SiC 器件适配大型储能与电网应用。
• 数据中心与 AI：GaN 与高效 Si 基 MOSFET 用于服务器电源、AI 算力供电，满足高频、高效、小型化需求，适配 AI 服务器规模化上量趋势。
• 工业控制：IGBT、高压 MOSFET、SiC 器件用于工业变频器、伺服驱动、焊机，提升设备能效与可靠性华润微电子。

华润微以 IDM 全产业链为底座，在硅基器件持续迭代、第三代半导体规模化突破、前沿材料提前布局的三重技术路径下，已形成国内领先、国际对标功率半导体技术体系。未来将聚焦车规、数据中心、新能源等高景气赛道，加速新一代产品研发，巩固并扩大在功率半导体领域的技术与市场领先地位。