江苏长晶的工业级功率器件以硅基分立器件 + 第三代半导体为核心，覆盖二极管、MOSFET、IGBT、SiC/GaN四大类，满足工业控制、电源、变频、光伏、储能等场景的高可靠、高效率、高功率密度需求江苏长晶科技。

一、工业级二极管（整流 / 续流 / 保护）

1. 肖特基二极管（SBD，工业级）

• 系列：CJDS、ST、RB（工业 / 车规兼容）
• 规格：1A–30A、20V–200V
• 特点：低 VF、Trr 短、高结温175℃、低损耗
• 封装：SMA/SMB/SMC、TO-252、TO-220、TO-263
• 应用：工业电源、UPS、变频器、伺服驱动、充电桩

2. 快恢复 / 超快恢复二极管（FRD/URD）

• 系列：FR、UF、HER
• 规格：1A–30A、50V–1200V，Trr5–50ns
• 特点：高频、低反向恢复损耗、高耐压
• 应用：开关电源、逆变、电机驱动、高频整流

3. 整流桥（GBJ/GBPC/KBPC）

• 规格：3A–50A、50V–1000V
• 特点：全桥整流、高浪涌、工业级可靠性
• 应用：工业电源、变频器、焊机、工控设备

4. TVS/ESD/ 稳压二极管（工业防护）

• TVS：SMB、SMCJ、P6KE、1.5KE系列，600W–15kW，抗浪涌
• ESD：低容值、高速接口防护
• 稳压管：0.5W–5W，精度高、温度系数稳定
• 应用：工业控制板、传感器、通信接口、电源保护

二、工业级 MOSFET（中高压 / 大功率）

1. 沟槽 MOSFET（Trench MOS）

• 电压：30V–200V
• 电流：1A–100A，Rds (on) 低至0.8mΩ
• 系列：CJN、CJP、2N7000 系列
• 特点：低栅电荷、高开关频率、抗雪崩
• 应用：电机驱动、电源管理、工业控制、伺服

2. 屏蔽栅 MOSFET（SGT MOS）

• 电压：60V–150V
• 特点：更低 Cgd、开关损耗降40%、高频高效
• 应用：服务器电源、工业快充、高频逆变

3. 超结 MOSFET（SJ MOS）

• 电压：500V–1500V
• 系列：CJS 系列
• 特点：低导通电阻、高耐压、高功率密度
• 应用：工业电源、UPS、光伏逆变器、高压变频

4. 高压功率 MOSFET

• 电压：600V–1200V
• 封装：TO-247、TO-3P、IGBT 模块封装
• 应用：高压电源、焊机、储能变流器（PCS）

三、工业级 IGBT（单管 / 模块，变频 / 大功率）

1. IGBT 单管（FST 系列）

• 技术：场终止（Field Stop）+ 微沟槽
• 电压：600V/650V/1200V
• 电流：15A–100A，结温175℃
• 特点：低 Vce (sat)、低开关损耗、高可靠性
• 封装：TO-247、TO-220、TO-3P
• 应用：工业变频、伺服、焊机、UPS、光伏逆变

2. IGBT 模块（PIM/IGBT 模块）

• 规格：600V/1200V，25A–600A
• 拓扑：单相桥、三相桥、PIM（整流 + 逆变 + 制动）
• 封装：DBC 基板、标准工业模块封装
• 应用：变频器、伺服驱动器、大功率电源、储能

四、第三代半导体（SiC/GaN，工业高端）

1. SiC MOSFET（650V/1200V）

• 系列：CSM 系列
• 特点：Rds (on) 较硅基降80%、耐高温、高频高效
• 应用：光伏逆变器、储能 PCS、工业快充、充电桩

2. SiC 肖特基二极管（SiC SBD）

• 电压：650V/1200V
• 特点：零反向恢复、高温稳定、高频
• 应用：高频电源、光伏逆变、充电桩、伺服驱动

3. GaN HEMT（650V 增强型）

• 特点：MHz 级开关频率、超小体积、极高效率
• 应用：工业快充、服务器电源、高频通信电源

五、工业级封装与可靠性

• 主流封装：TO-220/220F、TO-247、TO-252、TO-263、SMA/SMB/SMC、DFN、PDFN、IGBT 模块
• 可靠性：IATF16949、AEC-Q101（车规兼容）、高结温175℃、长寿命、抗振动 / 湿热

六、典型工业应用场景

• 工业变频 / 伺服：IGBT+FRD+SJ MOS
• 工业电源 / UPS：SBD + 超结 MOS+IGBT
• 光伏 / 储能：SiC MOS+SiC SBD+IGBT 模块
• 焊机 / 工控：高压 MOS+IGBT 单管 + TVS