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IXDN502PI 详细介绍如下:
一、概述
IXDF502 , IXDI502和IXDN502每个由两个2-对于驾驶放大器的CMOS高速MOSFET栅极驱动器最新IXYS MOSFET的&的IGBT 。每双输出可源出或吸入2安培的峰值电流,而产生的电压上升和小于15ns的下降时间。该每个驱动器的输入为TTL或CMOS兼容,几乎不受闭锁。
IXDF502配置有一个闸极驱动器反相加一门极驱动器非反相。该IXDI502被配置置的为双反相栅极驱动器,以及IXDN502是配置为双非反相栅极驱动器。
二、特点
· 使用的优点和兼容性内置 CMOS和IXYS HDMOS的TM过程的 · 闭锁保护高达2 A · 高2A峰值输出电流 · 宽工作电压范围: 4.5V至30V · -55°C至+ 125 °C扩展工作温度 · 高容性负载驱动能力: 1000pF的在
三、应用
· 驱动MOSFET和IGBT · 电机控制 · 线路驱动器 · 脉冲发生器 · 本地电源ON / OFF · 开关开关模式电源( SMPS ) · DC到DC转换 · 脉冲变压器驱动器 · D类开关放大器 · 功率电荷泵
四、产品参数图
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