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SST39LF800A-55-4C-EKE 概述如下：


该SST39LF200A / 400A / 800A和SST39VF200A / 400A /800A设备是128K X16 / X16 256K / 512K x16的

CMOS多用途闪存（ MPF）与SST propri-制造etary ，高性能CMOS SuperFlash技术。

分裂栅单元设计和厚氧化层隧穿注入实现更高的可靠性和可制造性与比较另一种方法。

该SST39LF200A / 400A / 800A写（编程或擦除）以3.0-3.6V的电源。该SST39VF200A / 400A / 800A

写（编程或擦除）用2.7-3.6V电源。这些器件符合JEDEC标准引脚为X16的回忆。特色高性能字编程，

该SST39LF200A / 400A / 800A和SST39VF200A / 400A /800A器件提供14典型字编程时间微秒。

该器件使用翻转位或数据＃查询检测在完成编程或擦除操作。要亲TECT防止误写入，他们有片上硬

件和软件数据保护方案。设计，制造factured ，并测试了广泛的应用范围，这些器件提供了一个保

证典型endur-ANCE 10万次。数据保留的额定功率为更大超过100年。该SST39LF200A / 400A / 800A

和SST39VF200A / 400A /800A设备适合于需要CON-应用近便和计划经济的升级，组态化或数据存储器。

对于所有系统应用，它们显著提高性能和可靠性，同时低化工e圈的功耗。他们本能地使用更少的能源

擦除和编程比其他闪存技时吉斯。当编程闪存设备，总能量消耗是所施加电压的函数，电流和应用程

序的时间。因为对于任何给定的电压范围内，则SuperFlash技术的编程电流小，具有擦除时间更短，

总的能量消耗能很好地协同荷兰国际集团的任何擦除或编程操作小于替代闪存技术。这些器件还可以

提高灵活性同时降低成本为程序，数据和组态灰存储应用。SuperFlash技术提供固定的擦除和亲克倍，

独立擦除的数量/程序已经发生的周期。因此，系统软件或硬件没有被修改或降额，是必要时与其他

闪存技术，其擦除和编程累积次数的增加擦除/编程周期。

SST39LF800A-55-4C-EKE  产品图如下：