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IRS21864S 概述如下：


该IRS2186 / IRS21864高电压，高速功率MOSFET和IGBT驱动器具有独立高，低侧参考输出通道。

专有的HVIC和锁存免疫CMOS技术使坚固耐用的单片式结构。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL兼容产

量下降至3.3 V逻辑。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，最低驱动器跨导。浮置沟道，可用于

驱动一个N沟道功率MOSFET或IGBT中它的工作频率高达600 V的高侧配置。

IRS21864S 产品参数图如下：

IRS21864S 产品图如下：