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HGTG30N60A4D 概述如下：


该HGTG30N60A4D是MOS门控高压开关器件的MOSFET相结合的最佳功能和双极型晶体管。

此装置具有高输入MOSFET的阻抗和低的导通状态导通损失一个双极晶体管组成。在低

得多的导通电压降变化只是适度的25oC和150oC.该IGBT采用的是开发式TA49343 。二

极管反并联使用的是发展型TA49373 。这IGBT适用于多种高压开关在高频率下操作的

应用，其中低导通损耗是必不可少的。该装置已对于高频开关模式电源优化。以前发

育类型TA49345 。

HGTG30N60A4D  产品参数图如下：

HGTG30N60A4D  产品图如下：