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M25P10VP 概述如下:
该M25P10是1兆位分页闪存装配式同意法半导体高耐力CMOS技术。内存通过简单的SPI
总线兼容的串行访问界面。该总线信号的串行时钟输入( C)中,串行数据输入端(D)
和串行数据输出(Q).连接到总线上的设备时,选择芯片选择输入端(S)变低。数据同
步在中低时钟的C高的转换,数据在高至低转换同步输出时钟。
M25P10VP 概述如下:
该M25P10是1兆位分页闪存装配式同意法半导体高耐力CMOS技术。内存通过简单的SPI
总线兼容的串行访问界面。该总线信号的串行时钟输入( C)中,串行数据输入端(D)
和串行数据输出(Q).连接到总线上的设备时,选择芯片选择输入端(S)变低。数据同
步在中低时钟的C高的转换,数据在高至低转换同步输出时钟。
M25P10VP 产品图如下:






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