公司秉承以用户需求为核心，坚持“质量到位、服务一流”的经营理念,在电子元器件－集成电路(IC)行业获得了客户的一致认可和高度评价,公司以为客户创造价值为己任，期待为您服务！联系方式：0755-83234059 手机：13612925116 QQ：2851397784 谢安妮！


SST39VF1601-70-4C-EKE 概述如下：


该SST39VF160x / 320x的/ 640X器件X16 1M ，2M分别为X16和X16 4M ， CMOS多用途闪存+ 


（ MPF + ）与SST专有的制造，高性能CMOS SuperFlash技术。该分裂栅单元设计和厚氧化


层隧穿注入实现更高的可靠性和可制造性比较与其他方法。该SST39VF160x / 320x的/ 640


X写（编程或擦除）用2.7?3.6V电源。这些器件符合JEDEC标准引脚排列X16的回忆。具有高


性能的字编程能力，SST39VF160x /子320x / 640X器件提供了一个典型字7微秒节目时间。


这些器件使用翻转位或数据＃投票指示完成程序的操作化。为了防止意外写操作，他们有


片硬件和软件数据保护方案。设计，制造和测试了一个宽的光谱应用程序，这些设备提供


了一个保证10万次典型的耐力。数据额定保存在100年以上。该SST39VF160x /子320x / 


640×装置适合于应用程序需要的方便和经济更新阳离子程序，配置或数据存储器。对于所


有系统的应用程序，它们显著提高性能和可靠性，同时降低功耗。他们inher-擦除和编程


过程中ently使用更少的能源比替代方案本机闪存技术。所消耗的总能量是所施加的电压的


函数，电流和的应用时间化。因为对于任何给定的电压范围内，则超快闪技术使用的编程


电流更低，并有一个较短的擦除时间，在任何擦除的总能量消耗或程序运行低于其他闪存


技吉斯。这些器件还可以提高灵活性，同时降低成本为程序，数据和配置存储应用程序阳


离子。SuperFlash技术提供固定的擦除和亲克倍，独立擦除的数量/程序已经发生的周期。


因此，系统软件或硬件没有被修改或降额，是必要时与其他闪存技术，其擦除和编程累积


次数的增加擦除/编程周期。为了满足高密度的表面安装的要求，SST39VF160x /子320x / 

640X提供48引脚TSOP和48球TFBGA封装。

SST39VF1601-70-4C-EKE 产品参数图如下：

SST39VF1601-70-4C-EKE 产品图如下：