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IRLL024NPBF 概述如下:
国际整流器第五代HEXFETs利用先进的加工技术,以实现极低的导通电阻每硅片面积。
这样做的好处,结合快速开关速度和加固设备的设计,HEXFET功率MOSFET是很好众所
周知,为设计者提供了一个非常有效的和可靠的装置,用于在各种各样的应用中使用。
采用SOT - 223封装是专为表面贴装采用气相,红外,或波峰焊技术。其独特的包装设
计便于自动拾波放与其他SOT或SOIC封装,但有的改进的热性能的附加好处由于对散热
放大选项卡。功耗的1.0W可以在一个典型的表面安装的应用程序。
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这样做的好处,结合快速开关速度和加固设备的设计,HEXFET功率MOSFET是很好众所
周知,为设计者提供了一个非常有效的和可靠的装置,用于在各种各样的应用中使用。
采用SOT - 223封装是专为表面贴装采用气相,红外,或波峰焊技术。其独特的包装设
计便于自动拾波放与其他SOT或SOIC封装,但有的改进的热性能的附加好处由于对散热
放大选项卡。功耗的1.0W可以在一个典型的表面安装的应用程序。
IRLL024NPBF 产品参数图如下:

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