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AM29F800BB-55EF 概述如下:
该Am29F800B是8兆, 5.0伏,仅限于Flash内存组织为1,048,576字节或524,288话。
该器件采用44引脚SO , 48针TSOP和48球FBGA封装。该装置还提供已知合格芯片
( KGD )的形式。欲了解更多信息,请参阅出版物号21631.该字宽的数据( X16 )
出现在DQ15 - DQ0 ;该字节宽的(x8 )数据显示在DQ7 - DQ0 。该装置被设计成
在系统编程与标达尔德系统5.0伏VCC供应量。 12.0 V VPP不在用于写或擦除操作。
该设备可以同时在标准EPROM编程编程聚体。该器件采用AMD的0.32微米制造工艺技
术,并提供所有的功能和苯并在Am29F800 ,这是用制造的efits0.5微米工艺技术。
AM29F800BB-55EF 产品图如下:

AM29F800BB-55EF 概述如下:
该Am29F800B是8兆, 5.0伏,仅限于Flash内存组织为1,048,576字节或524,288话。
该器件采用44引脚SO , 48针TSOP和48球FBGA封装。该装置还提供已知合格芯片
( KGD )的形式。欲了解更多信息,请参阅出版物号21631.该字宽的数据( X16 )
出现在DQ15 - DQ0 ;该字节宽的(x8 )数据显示在DQ7 - DQ0 。该装置被设计成
在系统编程与标达尔德系统5.0伏VCC供应量。 12.0 V VPP不在用于写或擦除操作。
该设备可以同时在标准EPROM编程编程聚体。该器件采用AMD的0.32微米制造工艺技
术,并提供所有的功能和苯并在Am29F800 ,这是用制造的efits0.5微米工艺技术。
AM29F800BB-55EF 产品图如下:


